Об очередном достижении на ниве разработки памяти DRAM объявила компания Samsung Electronics. Южнокорейскому производителю удалось создать первые в мире чипы памяти DDR3 DRAM, изготовленные по нормам 30 нм техпроцесса. При этом плотность новой памяти составляет 2 Гбит.По данным Samsung Electronics, применение 30 нм технологии позволяет увеличить показатель продуктивности памяти DDR3 на 60 процентов по сравнению с ее 40 нм аналогом. При этом эффективность затрат на производство 30 нм памяти DDR3 DRAM вдвое выше, чем при использовании 50 нм или 60 нм техпроцесса.Кроме того, 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит от Samsung является весьма энергоэффективным решением. Энергопотребление такой памяти до 30 процентов ниже, чем у ее 50 нм аналога. Ожидается, что новая 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит найдет свое применение в широком спектре продуктов, от настольных компьютеров и ноутбуков до серверных систем, нетбуков и мобильных устройств, а массовое производство такой памяти должно начаться во второй половине текущего года.
-
-
- Туркменистан - Китай: расширяя пути сотрудничества В Адыгее милиционера обвиняют во взяточничестве Рассмотрены вопросы бюджетирования, ориентированного на результат ОБСЕ и СЕ признали парламентские выборы в Молдове соответствующими международным стандартам Туркменистан - Китай: расширяя пути сотрудничества Шахматы: на Всемирной олимпиаде Двум охотникам в Кабардино-Балкарии удалось спастись от нападавших На ремонт дорог Магадана выделят 80 миллионов рублей В Армении будет работать новая виртуальная Ассоциация для бизнесменов Подозрительность на грани идиотизма Казахская красота очаровала Варшаву Итоги очередного заседания Кабинета Министров Программа InWEnt “Региональное развития экономики в Центральной Азии” Взаимовыгодное сотрудничество Адыгея не может обеспечить себя продовольствием Туркменистан и ОБСЕ развивают сотрудничество в области совершенствования избирательного законодательства Туркменистан - МККК: развитие сотрудничества Всемирному Совету Кредитных Союзов исполнилось 40 лет
-
-