Samsung разработала первую в мире 30 нм память DDR3 DRAM

Posted on December 25, 2010 by Адж

Об очередном достижении на ниве разработки памяти DRAM объявила компания Samsung Electronics. Южнокорейскому производителю удалось создать первые в мире чипы памяти DDR3 DRAM, изготовленные по нормам 30 нм техпроцесса. При этом плотность новой памяти составляет 2 Гбит.По данным Samsung Electronics, применение 30 нм технологии позволяет увеличить показатель продуктивности памяти DDR3 на 60 процентов по сравнению с ее 40 нм аналогом. При этом эффективность затрат на производство 30 нм памяти DDR3 DRAM вдвое выше, чем при использовании 50 нм или 60 нм техпроцесса.Кроме того, 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит от Samsung является весьма энергоэффективным решением. Энергопотребление такой памяти до 30 процентов ниже, чем у ее 50 нм аналога. Ожидается, что новая 30 нм память DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит найдет свое применение в широком спектре продуктов, от настольных компьютеров и ноутбуков до серверных систем, нетбуков и мобильных устройств, а массовое производство такой памяти должно начаться во второй половине текущего года.

Ещё :

This entry was posted in Современный хай тек. Bookmark the permalink.

Comments are closed.