Компания Fujitsu объявила о разработке новой технологии флеш-памяти, что позволит производить память типа NOR со значительно улучшенными скоростями выборки информации, чем могут реализовать сегодняшние образцы. Кроме того, для работы такой памяти потребуется меньше энергии.Сообщается, что новый модуль гарантирует 100 000 циклов записи-стирания данных. При этом показатель скоростей выборки улучшается в два с половиной раза по сравнению с существующими технологиями Fujitsu и достигает 10 наносекунд, а энергопотребление в пересчете на ячейку снижается на две трети до 9 микроампер.Используя проприетарную технологию под названием FCRAM (fast-cycle random-access memory), разработанную специалистами Fujitsu, новый макрос может быть реализован в микроконтроллерах, которыми оснащается встраиваемая флеш-память в промышленной и автомобильной сфере, а также в устройствах потребительской электроники.
-
-
- Туркменистан - Китай: расширяя пути сотрудничества В Адыгее милиционера обвиняют во взяточничестве Рассмотрены вопросы бюджетирования, ориентированного на результат ОБСЕ и СЕ признали парламентские выборы в Молдове соответствующими международным стандартам Туркменистан - Китай: расширяя пути сотрудничества Шахматы: на Всемирной олимпиаде Двум охотникам в Кабардино-Балкарии удалось спастись от нападавших На ремонт дорог Магадана выделят 80 миллионов рублей В Армении будет работать новая виртуальная Ассоциация для бизнесменов Подозрительность на грани идиотизма Казахская красота очаровала Варшаву Итоги очередного заседания Кабинета Министров Программа InWEnt “Региональное развития экономики в Центральной Азии” Взаимовыгодное сотрудничество Адыгея не может обеспечить себя продовольствием Туркменистан и ОБСЕ развивают сотрудничество в области совершенствования избирательного законодательства Туркменистан - МККК: развитие сотрудничества Всемирному Совету Кредитных Союзов исполнилось 40 лет
-
-