Компания Samsung первой начинает производство чипов NAND памяти 20 нм класса

Posted on January 2, 2011 by Адж

Южнокорейская компания Samsung Electronics, являющаяся одним из ведущих мировых поставщиков полупроводниковых микросхем, объявила о начале производства чипов NAND памяти, соответствующих нормам 20 нм класса. Новая память предназначена для использования в карточках стандарта Secure Digital (SD), а также во встраиваемых решениях на базе флеш-памяти.Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), обладающие плотностью в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, позволят увеличить емкость выпускаемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также высококлассных IT продуктов и высокопроизводительных карт памяти. Последние применяются, к примеру, в зеркальных фотокамерах.Известно, что память MLC NAND от Samsung, соответствующая нормам 20 нм класса, обладает на 50 процентов большей производительностью, чем аналогичные решения 30 нм класса. К примеру, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, созданной на базе 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основе 30 нм памяти. Новые SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи данных в 20 и 10 Мб/с соответственно, что дает им возможность претендовать на рейтинг Class 10. Первые образцы таких карт уже отгружаются заказчикам, а массовое производство начнется до конца 2010 года.

Ещё :

This entry was posted in Современный хай тек. Bookmark the permalink.

Comments are closed.